Puce de diode electroluminescente a mince couche et son procede de production

Dünnschicht-leuchtdiodenchip und verfahren zu seiner herstellung

Thin-layer light-emitting diode chip and method for the production thereof

Abstract

A thin-layer light-emitting diode chip (5) comprising a sequence of epitaxial layers (6) which are arranged on a carrier element (2) and which are provided with an active area (8) producing electromagnetic radiation, in addition to a reflecting layer (3) which is arranged on a main surface of the sequence of epitaxial layers (6) oriented towards the carrier element (2) and which reflects at least one part of the electromagnetic radiation produced in the sequence of epitaxial layer (6) back to said layer, wherein a structured layer (1) is arranged on a radiation decoupling surface (7) of the epitaxial layer facing away from the carrier element (2), said structured layer containing glass material and being provided with structuring which comprises projections (5) which are tapered in the direction of the radiation decoupling surface (7) and which have a lateral grid size which is smaller than the wavelength of electromagnetic radiation emitted from the sequence of epitaxial layers (6). The structured layer (1) is advantageously applied as spin-on glass and is structured by grey tone lithography.
L'invention concerne une puce (5) d'une diode électroluminescente à mince couche comprenant une succession de couches d'épitaxie (6) qui est placée sur un élément support (2) et présente une zone active (8) générant un rayonnement électromagnétique et une couche réfléchissante (3) qui est placée sur la surface principale de la succession de couches d'épitaxie (6), surface tournée vers l'élément support (2), et réfléchit dans cette succession de couches au moins une partie du rayonnement électromagnétique produit dans la succession de couches d'épitaxie (6). L'invention est caractérisée en ce qu'une couche structurée (1) est placée sur une surface de prélèvement de rayonnement (7) de la succession de couches d'épitaxie (6), surface opposée à l'élément support (2). Cette couche structurée contient un matériau verre et présente des saillies (5) juxtaposées, effilées à partir de la surface de prélèvement de rayonnement (7). Ces saillies ont une dimension de réseau latérale inférieure à une longueur d'onde d'un rayon électromagnétique émis à partir de la succession de couches d'épitaxie (6). Cette couche structurée (1) est avantageusement appliquée par centrifugation sur du verre et structurée par lithographie Grautonlithographie.
Es wird ein Dünnschicht-Leuchtdiodenchip (5) mit einer auf einem Trägerelement (2) angeordneten Epitaxieschichtenfolge (6), die eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Zone (8) aufweist, und einer an einer zu dem Trägerelement (2) hin gewandten Hauptfläche der Epitaxieschichtenfolge (6) angeordneten reflektierenden Schicht (3), die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge (6) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, beansprucht, bei dem auf einer vom Trägerelement (2) abgewandten Strahlungsauskoppelfläche (7) der Epitaxieschichtenfolge (6) eine strukturierte Schicht (1) angeordnet ist, die ein Glasmaterial enthält und eine Strukturierung aufweist, die nebeneinanderliegende, sich in Richtung von der Strahlungsauskoppelfläche (7) weg verjüngende Vorsprünge (5) umfaßt, die ein laterales Rastermaß kleiner als eine Wellenlänge einer aus der Epitaxieschichtenfolge (6) emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Die strukturierte Schicht (1) wird vorteilhaft als Spin-on-Glas aufgebracht und durch Grautonlithographie strukturiert.

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